檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "銦".ckeyword (精準) and year="106"
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現今，銦及其化合物有多種工業用途，而稀土金屬如釔(Y)和銪(Eu)則廣泛應用在電子產品中，此三種稀有金屬的需求量大，但供應量低，因此被視為是最關鍵的材料。隨著電子產品設計日新月異、其生命週期短縮，近…
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法(chemical vapor transport)成長之三硒化二銦 (In2Se3) 層狀半導體奈米結構之光電導及電傳輸特性。利用機械剝離法將三硒化二銦單晶分離成二…
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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本論文探討以化學氣相傳導法成長之二硫化鉬(MoS2)及硒化銦(InSe)層狀半導體之高頻時間解析光電導特性。實驗發現二硫化鉬及硒化銦皆存在包含快速及慢速的兩段式光電流響應。為了取得那段快速光電流響應…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材，採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜，以N取代O的位置，期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中，觀察在不同氧氣…
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本研究在於改良薄膜轉印法之犧牲層，利用射頻磁控濺鍍氧化銦錫(ITO)薄膜於犧牲層基板上，並藉由轉印法將ITO薄膜轉印至有機光電元件的高分子主動層上，可得到可見光透明薄膜電晶體，亦可避免濺鍍過程及退火…
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近幾年來，薄膜電晶體技術(TFT)發展地非常迅速，它被廣泛的應用在積體電路和顯示器設備上。傳統上薄膜電晶體大多使用非晶矽材料，但銦鎵鋅氧化物在近年來也逐漸被關注，它擁有更快的載子遷移率，能夠更有…
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由於 金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程質及材料性，使 金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程質及材料性，使 金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程質及材料性，使 它們在新興的薄膜電晶 它們在新興的薄膜電晶 體應用上成…
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本研究是將銻化銦塊材利用陽極氧化鋁模板(AAO)輔助真空液壓鑄造法製作一維結構奈米線，獲得奈米線與共聚物混和，應用於製備成有機場效電晶體(OFET)記憶體電荷儲存層。主要探討二個方向：(1)銻化銦塊…
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由於金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程特質及材料特性，使它們在新興的薄膜電晶體應用上成為最具有競爭性的選擇，包含均勻性好可以應用在大尺寸的面板、低溫製程而應用於可撓式的結構以及低成本製作等特殊需求的產品…